電気化学機械研磨によるSiCの高能率スラリーレス加工法の開発(第9報)

DOI
  • 木下 亮祐
    大阪大 工学研究科 物理学系専攻 精密工学コース
  • 曹 健傑
    大阪大 工学研究科 物理学系専攻 精密工学コース
  • 孫 栄硯
    大阪大 工学研究科 物理学系専攻 精密工学コース
  • 有馬 健太
    大阪大 工学研究科 物理学系専攻 精密工学コース
  • 山村 和也
    大阪大 工学研究科 物理学系専攻 精密工学コース
  • 青木 一史
    デンソー 生産技術部

書誌事項

タイトル別名
  • 電解液の液性における4H-SiC(0001)の酸化特性の評価

抄録

<p>単結晶SiCは、高出力・高周波デバイス用次世代半導体材料として有望視されており、SiCの高能率研磨技術としてスラリーレス電気化学機械研磨(ECMP)が提案されている。本報ではECMPで用いる4H-SiC(0001)に対して、NaClとKOHの2種類の異なる液性の電解液について、定電流モードで同時間酸化実験を行って、電解液の違いによる表面酸化特性を評価した。</p>

収録刊行物

詳細情報 詳細情報について

  • CRID
    1390860255283204480
  • DOI
    10.11522/pscjspe.2023s.0_775
  • 本文言語コード
    ja
  • データソース種別
    • JaLC
  • 抄録ライセンスフラグ
    使用不可

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