単結晶窒化ガリウム（GaN）基板の高速高精度加工法の開発

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タイトル別名
  • Development of high-speed and high-accurate manufacturing of gallium nitride
  • 単結晶窒化ガリウム（GaN）基板の高速高精度加工法の開発 ―紫外線援用テープ研削法の提案―
  • タンケッショウ チッカ ガリウム(GaN)キバン ノ コウソク コウセイド カコウホウ ノ カイハツ : シガイセン エンヨウ テープ ケンサクホウ ノ テイアン
  • Suggestion of UV assist tape grinding method
  • —紫外線援用テープ研削法の提案—

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抄録

<p>ワイドギャップ半導体材料である単結晶窒化ガリウム（GaN）は電力損失の低いパワ-デバイスへの活用が期待され，基板の高品質化や大口径化などの取り組みが進められている．しかし同材は，高硬度，高化学安定性，および脆性という特性を有するため，従来のシリコン基板に対する手法では加工が困難である．そこで本研究では，GaN (0001)基板Ga面において，過酸化水素水（HP）への紫外線（UV）照射によってヒドロキシル（OH）ラジカルを発生させて，GaN材料表層を改質し，加工の高効率化を試みた．さらに改質と除去を連続的に行うことのできるUV援用テ-プ研削加工法を考案した．その結果，同加工法を利用することにより，通常の加工法に比べて表面平坦化に及ぼす時間が1/6となり，6倍以上の加工速度向上の可能性が見いだせた．</p>

収録刊行物

  • 砥粒加工学会誌

    砥粒加工学会誌 63 (11), 569-574, 2019-11-01

    社団法人 砥粒加工学会

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