Degradation mechanism of AlGaAs/InGaAs power pseudomorphic high-electron-mobility transistors under large-signal operation
書誌事項
- タイトル別名
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- Degradation mechanism of AlGaAs InGaAs power pseudomorphic high electron mobility transistors under large signal operation
- 公開日
- 2008-02
- DOI
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- 10.1143/jjap.47.833
- 公開者
- Tokyo : The Japan Society of Applied Physics
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説明
資料形態 : テキストデータ プレーンテキスト
コレクション : 国立国会図書館デジタルコレクション > デジタル化資料 > 雑誌
収録刊行物
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- Japanese journal of applied physics : JJAP
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Japanese journal of applied physics : JJAP 47 (2), 833-838, 2008-02
Tokyo : The Japan Society of Applied Physics
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詳細情報 詳細情報について
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- CRID
- 1520009409406418304
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- NII論文ID
- 40015885143
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- NII書誌ID
- AA12295836
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- ISSN
- 00214922
- 13474065
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- NDL書誌ID
- 9393025
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- 本文言語コード
- en
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- NDL 雑誌分類
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- ZM35(科学技術--物理学)
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- データソース種別
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- NDLサーチ
- Crossref
- CiNii Articles
