第3世代650V RC-IGBTの局所ライフタイム制御と高密度配置ダイオードによるジャンクション温度の低減
書誌事項
- タイトル別名
-
- ダイ3 セダイ 650V RC-IGBT ノ キョクショ ライフタイム セイギョ ト コウミツド ハイチ ダイオード ニ ヨル ジャンクション オンド ノ テイゲン
- Reduction of Junction Temperature with Local Lifetime Control and High Density Arranged Diode for 3rd Gen. 650 V RC-IGBT
- 電子デバイス/半導体電力変換合同研究会 パワーデバイス・電力変換器とその制御
- デンシ デバイス/ハンドウタイ デンリョク ヘンカン ゴウドウ ケンキュウカイ パワーデバイス ・ デンリョク ヘンカンキ ト ソノ セイギョ
この論文をさがす
収録刊行物
-
- 電気学会研究会資料. EDD = The papers of technical meeting on electron devices, IEE Japan / 電子デバイス研究会 [編]
-
電気学会研究会資料. EDD = The papers of technical meeting on electron devices, IEE Japan / 電子デバイス研究会 [編] 2023 (45-67), 17-21, 2023-10-27
東京 : 電気学会
- Tweet
詳細情報 詳細情報について
-
- CRID
- 1520016649123345408
-
- NII書誌ID
- AN1044178X
-
- NDL書誌ID
- 033147908
-
- 本文言語コード
- ja
-
- NDL 雑誌分類
-
- ZN33(科学技術--電気工学・電気機械工業--電子工学・電気通信)
-
- データソース種別
-
- NDL