書誌事項
- タイトル別名
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- イライ コウエン レベル カヘン ワードセン ドライバ オ モチイテ プロセスバラツキ タイセイ オ コウジョウ シタ 40nm CMOS プロセス 0 179ミューm 2 セル 2 デンゲン SRAM
- A process-variation-tolerant dual-power-supply SRAM with 0.179μm[2] cell in 40nm CMOS using level-programmable wordline driver
- 集積回路
- シュウセキ カイロ
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収録刊行物
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- 電子情報通信学会技術研究報告 = IEICE technical report : 信学技報
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電子情報通信学会技術研究報告 = IEICE technical report : 信学技報 109 (2), 21-26, 2009-04
東京 : 電子情報通信学会
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詳細情報 詳細情報について
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- CRID
- 1520290883644699904
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- NII論文ID
- 110007227456
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- NII書誌ID
- AA1123312X
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- ISSN
- 09135685
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- NDL書誌ID
- 10220129
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- 本文言語コード
- ja
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- NDL 雑誌分類
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- ZN33(科学技術--電気工学・電気機械工業--電子工学・電気通信)
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- データソース種別
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- NDL
- CiNii Articles
