GaAs/Al0.3Ga0.7As Resonant Tunneling Diodes with Atomically Flat Interfaces Grown on(411)A GaAs Substrates by MBE
書誌事項
- タイトル別名
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- GaAs Al0.3Ga0.7As Resonant Tunneling Di
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説明
資料形態 : テキストデータ プレーンテキスト
コレクション : 国立国会図書館デジタルコレクション > デジタル化資料 > 雑誌
収録刊行物
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- 大阪大学極限科学研究センター報告書 = Report Kyokugen / 大阪大学極限科学研究センター 編
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大阪大学極限科学研究センター報告書 = Report Kyokugen / 大阪大学極限科学研究センター 編 (2), 178-181, 1998-03
豊中 : 大阪大学極限科学研究センター
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詳細情報 詳細情報について
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- CRID
- 1520290883717421568
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- NII論文ID
- 40005179957
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- NII書誌ID
- AA11189811
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- ISSN
- 13442546
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- NDL書誌ID
- 4511191
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- 本文言語コード
- en
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- NDL 雑誌分類
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- ZM35(科学技術--物理学)
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- データソース種別
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- NDLサーチ
- CiNii Articles