化学的気相堆積法を用いたSiCトレンチ埋込みのトポグラフィー・シミュレーション
書誌事項
- タイトル別名
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- カガクテキ キソウ タイセキホウ オ モチイタ SiC トレンチ ウメコミ ノ トポグラフィー ・ シミュレーション
- Topography Simulation of SiC-Chemical-Vapor-Deposition Trench Filling
- 電子デバイス研究会 次世代化合物半導体デバイスの機能と応用
- デンシ デバイス ケンキュウカイ ジセダイ カゴウブツ ハンドウタイ デバイス ノ キノウ ト オウヨウ
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収録刊行物
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- 電気学会研究会資料. EDD = The papers of technical meeting on electron devices, IEE Japan / 電子デバイス研究会 [編]
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電気学会研究会資料. EDD = The papers of technical meeting on electron devices, IEE Japan / 電子デバイス研究会 [編] 2018 (32-42), 17-22, 2018-03
東京 : 電気学会
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キーワード
詳細情報 詳細情報について
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- CRID
- 1520290884957020032
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- NII論文ID
- 40021550581
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- NII書誌ID
- AN1044178X
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- NDL書誌ID
- 028999369
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- 本文言語コード
- ja
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- NDL 雑誌分類
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- ZN33(科学技術--電気工学・電気機械工業--電子工学・電気通信)
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- データソース種別
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- NDL
- CiNii Articles
