放電電流過渡分光法を用いた犠牲酸化処理された高純度半絶縁性4H-SiCの欠陥評価

書誌事項

タイトル別名
  • ホウデン デンリュウ カト ブンコウホウ オ モチイタ ギセイ サンカ ショリ サレタ コウジュンド ハンゼツエンセイ 4H-SiC ノ ケッカン ヒョウカ
  • Evaluation of Intrinsic Defects in Sacrificial Oxidized High-Purity Semi-Insulating 4H-SiC by Discharge Current Transient Spectroscopy
  • シリコン材料・デバイス
  • シリコン ザイリョウ ・ デバイス

この論文をさがす

収録刊行物

参考文献 (21)*注記

もっと見る

詳細情報 詳細情報について

問題の指摘

ページトップへ