招待講演 (100)及び(110)基板上のeSiGeによる歪みSiチャネルを有するMetal/High-k Gate Stack MOSFETのデバイス特性

書誌事項

タイトル別名
  • ショウタイ コウエン 100 オヨビ 110 キバン ジョウ ノ eSiGe ニ ヨル ヒズミ Si チャネル オ ユウスル Metal High k Gate Stack MOSFET ノ デバイス トクセイ
  • IEDM特集(先端CMOSデバイス・プロセス技術)
  • IEDM トクシュウ センタン CMOS デバイス プロセス ギジュツ

この論文をさがす

収録刊行物

参考文献 (10)*注記

もっと見る

詳細情報 詳細情報について

問題の指摘

ページトップへ