Effects of Si layer thickness on solid-phase crystallization of stacked Ge/Si/SiO2 structures
書誌事項
- タイトル別名
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- Effects of Si layer thickness on solid phase crystallization of stacked Ge Si SiO2 structures
- Special issue: Active-matrix flatpanel displays and devices: TFT technologies and FPD materials
- Special issue Active matrix flatpanel displays and devices TFT technologies and FPD materials
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抄録
コレクション : 国立国会図書館デジタルコレクション > デジタル化資料 > 雑誌
収録刊行物
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- Japanese journal of applied physics : JJAP
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Japanese journal of applied physics : JJAP 48 (3), 2009-03
Tokyo : The Japan Society of Applied Physics
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詳細情報 詳細情報について
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- CRID
- 1520853834256382464
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- NII論文ID
- 40016500939
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- NII書誌ID
- AA12295836
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- ISSN
- 00214922
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- NDL書誌ID
- 10191531
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- 本文言語コード
- en
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- NDL 雑誌分類
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- ZM35(科学技術--物理学)
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- データソース種別
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- NDL
- CiNii Articles