「先端半導体にはEUV露光装置」に待った キヤノンのナノインプリントの実力

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  • 「 センタン ハンドウタイ ニワ EUV ロコウ ソウチ 」 ニ マッタ キヤノン ノ ナノインプリント ノ ジツリョク

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抄録

数nm世代の最先端半導体には、オランダASMLの極端紫外線（EUV）露光装置が必須─。そんな状況にキヤノンが風穴を開けた可能性がある。長年、研究開発を続けてきたナノインプリントリソグラフィー（NIL）装置を実用化したのだ（図1）。

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