Bibliographic Information
- Other Title
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- 「 センタン ハンドウタイ ニワ EUV ロコウ ソウチ 」 ニ マッタ キヤノン ノ ナノインプリント ノ ジツリョク
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Abstract
数nm世代の最先端半導体には、オランダASMLの極端紫外線(EUV)露光装置が必須─。そんな状況にキヤノンが風穴を開けた可能性がある。長年、研究開発を続けてきたナノインプリントリソグラフィー(NIL)装置を実用化したのだ(図1)。
Journal
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- 日経エレクトロニクス = Nikkei electronics : sources of innovation
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日経エレクトロニクス = Nikkei electronics : sources of innovation (1261), 68-72, 2024-03
東京 : 日経BP
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Details 詳細情報について
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- CRID
- 1520862312519716736
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- NII Book ID
- AN0018467X
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- ISSN
- 03851680
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- NDL BIB ID
- 033346220
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- Text Lang
- ja
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- NDL Source Classification
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- ZN33(科学技術--電気工学・電気機械工業--電子工学・電気通信)
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- Data Source
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- NDL
- Nikkei BP