「先端半導体にはEUV露光装置」に待った キヤノンのナノインプリントの実力

Bibliographic Information

Other Title
  • 「 センタン ハンドウタイ ニワ EUV ロコウ ソウチ 」 ニ マッタ キヤノン ノ ナノインプリント ノ ジツリョク

Search this article

Abstract

数nm世代の最先端半導体には、オランダASMLの極端紫外線(EUV)露光装置が必須─。そんな状況にキヤノンが風穴を開けた可能性がある。長年、研究開発を続けてきたナノインプリントリソグラフィー(NIL)装置を実用化したのだ(図1)。

Journal

Details 詳細情報について

Report a problem

Back to top