書誌事項
- タイトル別名
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- 「 センタン ハンドウタイ ニワ EUV ロコウ ソウチ 」 ニ マッタ キヤノン ノ ナノインプリント ノ ジツリョク
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説明
数nm世代の最先端半導体には、オランダASMLの極端紫外線(EUV)露光装置が必須─。そんな状況にキヤノンが風穴を開けた可能性がある。長年、研究開発を続けてきたナノインプリントリソグラフィー(NIL)装置を実用化したのだ(図1)。
収録刊行物
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- 日経エレクトロニクス = Nikkei electronics : sources of innovation
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日経エレクトロニクス = Nikkei electronics : sources of innovation (1261), 68-72, 2024-03
東京 : 日経BP
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詳細情報 詳細情報について
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- CRID
- 1520862312519716736
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- NII書誌ID
- AN0018467X
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- ISSN
- 03851680
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- NDL書誌ID
- 033346220
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- 本文言語コード
- ja
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- NDL 雑誌分類
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- ZN33(科学技術--電気工学・電気機械工業--電子工学・電気通信)
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- データソース種別
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- NDL
- Nikkei BP