世界で初めて製品化したSiCを使った新しい整流素子についてその特性面を中心に紹介する SiC(シリコンカーバイド)・ショットキー・ダイオード

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  • セカイ デ ハジメテ セイヒンカ シタ SiC オ ツカッタ アタラシイ セイリュウ ソシ ニ ツイテ ソノ トクセイメン オ チュウシン ニ ショウカイ スル SiC シリコンカーバイド ショットキー ダイオード
  • 特集1 2003年版パワー半導体デバイス活用技術--電源用IC、パワーMOSFET、IGBTからワイドバンドギャップ半導体まで
  • トクシュウ 1 2003ネンバン パワー ハンドウタイ デバイス カツヨウ ギジュツ デンゲンヨウ IC パワー MOSFET IGBT カラ ワイドバンドギャップ ハンドウタイ マデ

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収録刊行物

  • 電子技術

    電子技術 45 (10), 13-15, 2003-08

    東京 : 日刊工業新聞社

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