オンチップパルスジェネレータを用いた高周波パルス電流によるEM評価
書誌事項
- タイトル別名
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- Electromigration test under high frequency pulsed current using on- chip pulse generator
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説明
オンチップパルスジェネレータで生成したパルス電流を用いたエレクトロマイグレーション(EM)試験を行った。この試験方法ではパルス波形の歪みが少ないので信頼性の高い高周波数(>100MHz)のEM試験が可能である。このシステムを用いて30MHz-350MHzの範囲で単方向パルス電流によるA1SiCu配線のEM信頼性を、周波数およびデューティ比依存性の観点から調べた。その結果、この周波数範囲ではEM寿命はほぼ一定であり、デューティ比0.4ではパルス電流による寿命はDC寿命の約50倍であることがわかった。またEM寿命はデューティ比に大きく依存し、デューティ比指数は4.4±1.0であることがわかった。
収録刊行物
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- 電子情報通信学会技術研究報告. SDM, シリコン材料・デバイス
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電子情報通信学会技術研究報告. SDM, シリコン材料・デバイス 94 (180), 67-72, 1994-07-25
一般社団法人電子情報通信学会
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キーワード
詳細情報 詳細情報について
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- CRID
- 1570009752531169536
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- NII論文ID
- 110003310212
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- NII書誌ID
- AN10013254
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- 本文言語コード
- ja
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- データソース種別
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- CiNii Articles