有機化珪素化合物(HMDS)を用いたSi基板上への3C-SiC薄膜の成長及び評価
書誌事項
- タイトル別名
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- Growth of 3C-SiC film on Si substrate using Si_2(CH_3)_6
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収録刊行物
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- 電気学会基礎・材料・共通部門大会講演論文集 = Proceeding of Annual Conference of Fundamentals and Materials Society, IEE Japan
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電気学会基礎・材料・共通部門大会講演論文集 = Proceeding of Annual Conference of Fundamentals and Materials Society, IEE Japan 1999 564-, 1999-09-08
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詳細情報 詳細情報について
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- CRID
- 1570854175296217088
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- NII論文ID
- 10016714330
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- NII書誌ID
- AA11982604
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- 本文言語コード
- ja
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- データソース種別
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- CiNii Articles