シリコンウェハの直接貼り合わせ接合
書誌事項
- タイトル別名
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- Direct Bonding of Silicon Wafers
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説明
シリコンのウェハ同士を接着剤などを使用せずに、貼り合わせ接合する実験を試みた。表面の洗浄方法、親水性処理、熱処理等の条件を変え、最適接着条件を求めるとともに接合機構の解明を、界面状態の観察を赤外線散乱トモグラフィーと走査型電子顕微鏡にて行なうことにより、また貼り合わせウェハの界面の結合状態を赤外吸収スペクトルの分析により行い、さらにp型とn型のウェハを接着することでダイオードを作製しその電気的特性を調べることにより行った。
収録刊行物
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- 電子情報通信学会技術研究報告. CPM, 電子部品・材料
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電子情報通信学会技術研究報告. CPM, 電子部品・材料 95 (204), 1-6, 1995-08-04
一般社団法人電子情報通信学会
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詳細情報 詳細情報について
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- CRID
- 1570854177375906560
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- NII論文ID
- 110003199113
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- NII書誌ID
- AN10012932
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- 本文言語コード
- ja
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- データソース種別
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- CiNii Articles