RF-DC結合形マグネトロンスパッタ法によるA〓Nx薄膜の組成制御

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タイトル別名
  • Stoichiometry Control of A〓Nx on DC Bias Voltage in RF-DC Coupled Magnetron Sputtering

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説明

前報においてRF-DC結合形マグネトロンスパッタ法は、ターゲットに印加するDC電圧により、金属薄膜(W,Mo)の堆積速度が容易に制御可能なことを明らかにした。近年AlNは絶縁性に優れ熱伝導性が高く、広い波長域にわたって透明であることから、電子光機能材料として注目される。本研究ではRF-DC結合形マグネトロンスパッタ法の特徴を利用して、反応スパッタによりAlNx薄膜の堆積速度及び組成制御を試みたので、その結果について親告する。

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詳細情報 詳細情報について

  • CRID
    1570854177405978880
  • NII論文ID
    110003342395
  • NII書誌ID
    AN10489017
  • 本文言語コード
    ja
  • データソース種別
    • CiNii Articles

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