PECVD SiOF膜の構造検討

書誌事項

タイトル別名
  • A study of film structure in PECVD SiOF
公開日
1994-11-25
公開者
一般社団法人電子情報通信学会

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説明

フッ素添加シリコン酸化膜(SiOF)の吸湿過程および脱離機構についてFT-IRおよびTDSを用いて検討した。SiOFでは、H_2Oと膜中Si-F結合の間で加水分解反応が起こり、Si-OHとHFを形成することがわかった。またP-SiNキャップを連続形成することで吸湿性を防止して、初期状態における膜構造および誘電率の評価を行った。初期状態ではSiOFにはSi-OHが存在しないこと、Si-F結合にいくつかの種類があることがわかった。また吸湿および加水分解反応のない状態で膜本来の誘電率の測定した結果、フッ素濃度14at%で比誘電率2.8を示した。

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詳細情報 詳細情報について

  • CRID
    1571698602390770048
  • NII論文ID
    110003310303
  • NII書誌ID
    AN10013254
  • 本文言語コード
    ja
  • データソース種別
    • CiNii Articles

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