フラッシュメモリにおける可変ワード線電圧を用いた高信頼化書込み技術

参考文献7件

書誌事項

タイトル別名
  • High-Reliability Programming Technique Using Variable Word-Line Voltage for Flash Memories

この論文をさがす

説明

本研究では、256Mビット以降の大容量フラッシュメモリにおいて、経時絶縁破壊電荷量を向上するための電子放出方式として、可変ワード線電圧方式を電子放出特性のシュミレーションにより検討した。その結果、電子放出時の最大トンネル電流密度を1.4桁低減できることを明らかにした。それにより、経時絶縁破壊電荷量は約3倍の向上が期待される。

収録刊行物

参考文献 (7)*注記

もっと見る

キーワード

詳細情報 詳細情報について

  • CRID
    1571698602396208000
  • NII論文ID
    110003309695
  • NII書誌ID
    AN10013254
  • 本文言語コード
    ja
  • データソース種別
    • CiNii Articles

問題の指摘

ページトップへ