Fully Strained Heavily Carbon-Doped GaAs Using Carbontetrabromide by Gas-Source Molecular Beam Epitaxy and Its Application in InGaP/GaAs Heterojunction Bipolar Transistors

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  • CRID
    1572261550125603712
  • NII論文ID
    10017200327
  • NII書誌ID
    AA10777858
  • 本文言語コード
    en
  • データソース種別
    • CiNii Articles

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