NOR型フラッシュメモリにおける過剰消去検出手法とその応用

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タイトル別名
  • An Over-Evasure Detection Technique for Tightening Vth Distribution for Low Voltage Operation NOR type Flash Memory

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説明

過剰消去ビット検出手法は,メモリセルのソース線をバイアスした状態で読み出しを行う過剰消去ビットのマスク手法であり,これによってしきい値の検出下限が広がる.さらに,ソース線バイアス手法を利用して,過剰消去ビットの回復プログラムを行うことを提案した.これらの技術を適用し,消去時のメモリセルのしきい値分布を狭くすることができることを示した.ソース線バイアス手法では,センスアンプの電源, 接地ノードを周辺回路のそれと分離し,メモリアレイのソース線,センスアンプの電源/接地レベルをシフトすることで従来のセンスアンプ技術をそのまま利用できることを示した.このソース線バイアス手法を用いた消去シーケンスは今後のNOR型フラッシュメモリの低電圧化に有用な技術である.

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詳細情報 詳細情報について

  • CRID
    1572824502297597184
  • NII論文ID
    110003310324
  • NII書誌ID
    AN10013254
  • 本文言語コード
    ja
  • データソース種別
    • CiNii Articles

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