書誌事項
- タイトル別名
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- Analysis of SiO_2 Etching Characteristics in Low Pressure HF/H_2O Vapor Process
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説明
ディープサブミクロンプロセスにおける洗浄技術として, 低圧HF / H_2Oペーパー洗浄技術を開発している. このベーパーエッチング技術には, 従来のウエット洗浄に比べてエッチング特性の不安定性という問題がある. 著者らはエッチング特性の決定要因は, エッチングされるSiO_2表面でのHF/H_2Oベーパーの凝縮量と考え, この観点からHF/H_2Oベーパーエッチング機構の解析を行なった. その結果, HF/H_2Oベーパーエッチングは, HF/H_2O分圧に関して3つの領域に分けることができた. これらの結果は, HF/H_2Oベーパー吸着モデルによって定量的に説明された. このモデルは不飽和単層, 単層, 凝縮層の3つの吸着状態から成り立っている. また, AFMによる表面モホロジー観察は吸着モデルを支持するものであった.
収録刊行物
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- 電子情報通信学会技術研究報告. SDM, シリコン材料・デバイス
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電子情報通信学会技術研究報告. SDM, シリコン材料・デバイス 95 (497), 77-82, 1996-01-26
一般社団法人電子情報通信学会
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詳細情報 詳細情報について
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- CRID
- 1572824502303356800
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- NII論文ID
- 110003309839
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- NII書誌ID
- AN10013254
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- 本文言語コード
- ja
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- データソース種別
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- CiNii Articles
