高補償度半導体におけるイオン化不純物の不均一分布による内部Stark効果

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書誌事項

タイトル
高補償度半導体におけるイオン化不純物の不均一分布による内部Stark効果
タイトル別名
  • Internal Stark Effect Caused by Inhomogeneous Distribution of Ionized Impurities in Highly Compensated Semiconductors
  • コウホショウド ハンドウタイ ニオケル イオンカ フジュンブツ ノ フキンイツ ブンプ ニヨル ナイブ Stark コウカ
著者
原田, 義之
著者別名
  • Harada, Yoshiyuki
  • ハラダ, ヨシユキ
学位授与大学
大阪大学
取得学位
博士（理学）
学位授与番号
甲第05152号
学位授与年月日
1995-03-23

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説明

博士論文

資料形態 : テキストデータ プレーンテキスト
コレクション : 国立国会図書館デジタルコレクション > デジタル化資料 > 博士論文
博士論文

目次

Abstract

Contents

§1 Introduction

§2 Theoretical Background

2-1 Stark effect in a hydrogen

2-2 Stark effect due to internal electric fields induced by ionized impurities

2-3 Inhomogeneous line-broadening theory by random distribution of ionized impurities

§3 Experimental Procedure

3-1 FIR laser and detector

3-2 Experimental setup

3-3 Photo-and electric-field-excitation method

3-4 Time resolved signal measurement

3-5 Samples

§4 Experimental Results

4-1 p-InSb

4-2 p-Ge

§5 Monte Carlo Simulation and Discussion

5-2 p-InSb

5-3 p-Ge

§6 Conclusion

Acknowledgments

Appendix

References

Figure captions

Figures and Tables

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