クラスターイオン注入によるCMOSセンサのゲッタリング技術

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タイトル別名
  • Gettering Technology for CMOS Image Sensors Using a Cluster Ion Implantation
  • クラスターイオン チュウニュウ ニ ヨル CMOS センサ ノ ゲッタリング ギジュツ

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In recent years, CMOS image sensor has been widely used for ubiquitous devices such as smart-phone and tablets. However, CMOS image sensors performance are dramatically influenced by process induced defects such as metallic impurities related deep level defects in the space-charge region. Thus, it is extremely important to study metallic impurities influence on CMOS image sensor performance and to develop effectiveness metallic impurities gettering technique. In this article, we introduce our new proximity gettering technique for advanced CMOS image sensor by using a carbon cluster ion implantation technique. In addition, we demonstrate that the carbon cluster ion implanted silicon wafer has high gettering capability of oxygen, hydrogen and metallic impurity after CMOS simulation heat treatment.

収録刊行物

  • 表面科学

    表面科学 37 (3), 104-109, 2016

    公益社団法人 日本表面科学会

被引用文献 (4)*注記

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参考文献 (3)*注記

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